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用透射偏振显微镜评估SiC衬底上的晶体缺陷
单晶4H-SiC衬底仍然具有比硅衬底更高的晶体缺陷密度,并且其评估很重要。 作为无损评价晶体缺陷的方法,主要使用大型的同步加速器辐射设备的同步加速器辐射X射线形貌,但是设备本身的使用并不容易。 因此,作为评估SiC衬底的晶体缺陷的简单且无损的方法,研究了使用透射偏振显微镜观察由晶体位错产生的内部应变的方法。 可以预期将其用于晶体位错的更详细评估,这些晶体位错难以仅用同步辐射X射线形貌分析,商用Si
2020-02-08 Westpac Electronics 102
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第七代汽车高压传感器
当前,强烈要求汽车提高燃料效率并遵守环境法规和安全法规。 为了满足这些日益严格的规定,富士电机开发了用于汽车的第七代高压传感器。 由于它用于高温,高压环境,因此已与传感器芯片相结合,该传感器芯片采用新型不锈钢膜片封装结构提高了耐压性能,并采用了新开发的双栅MOS晶体管,从而改善了高温特性。 这扩大了可使用的压力范围,保证了在150°C的温度下运行并获得更高的精度。第7世代車載用高圧センサ.pdf更
2020-02-08 Westpac Electronics 116
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用于xEV的DC / DC转换器模块
随着美国零排放汽车(ZEV)法规以及日本,欧洲和中国的CO2排放法规的加强,混合动力汽车等电动汽车(xEV)的市场正在全球范围内迅速扩展。 富士电机通过应用在工业用途的小容量模块中培育的技术,开发了用于xEV DC / DC转换器的模块。 这款新开发的产品具有用于全桥系统的电路配置,并具有在初级侧具有超级结结构的功率MOSFET和在次级侧具有SBD的功率MOSFET,以确保作为车载模块的安全性。
2020-02-08 Westpac Electronics 114
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用于xEV的第四代铝制直接水冷封装技术
近年来,混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)的发展和扩散在汽车工业中正在加速发展,因此需要更小,更轻,损耗更低,输出功率更高的功率模块,从而提高燃油效率。 我有 富士电机已经开发出一种高散热散热器设计技术,并且将半导体元件上的主电路布线替换为传统铝线的引线框架。 通过将引线框布线技术应用于第四代汽车直接水冷模块,除了改进了高散热散热器的设计技术外,还减少了第三代直接水冷模块的占地面积并降低了高
2020-02-08 Westpac Electronics 112
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车载空调IPM
富士电机开发了一种车载空调IPM,集成了用于汽车空调电动压缩机的三相逆变器电路,控制电路和保护电路。 该产品使用基于X系列IGBT芯片技术和FWD芯片技术针对汽车优化的低损耗,低噪声器件。 结果,使用额定值为600V / 30A的产品来控制汽车空调的电动压缩机,结果,以20kHz的载波频率驱动时,关断期间的浪涌电压得到抑制,总损耗降低了约2%。車載エアコン用 IPM.pdf更多信息及支持请联系香港
2020-02-08 Westpac Electronics 153
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配备第二代SiC沟槽栅极MOSFET 全SiC模块
全SiC模块可实现比Si-IGBT模块低得多的损耗。 富士电机一直在以自己的新结构封装销售全碳化硅模块。 这次,为了进一步扩大产品线,我们开发了一种All-SiC模块,该模块在封装中结合了第二代SiC沟槽栅极MOSFET,在外形和端子布局上均与传统的Si-IGBT模块兼容。 结果,可以将逆变器的发电损耗降低78%,并且可以扩大输出电流以增加电流密度,并有助于进一步减小电力电子设备的尺寸。第2世代S
2020-02-08 Westpac Electronics 123
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第二代SiC沟槽栅极MOSFET
富士电机正在开发市场上的各种电力电子设备,以为实现低碳社会做出贡献。 为了进一步节省能源,我们开发了第二代SiC沟槽栅极MOSFET。 与第一代SiC沟槽栅极MOSFET相比,导通电阻降低了23%,这归因于器件的小型化,更薄的SiC衬底和更高的迁移率。 此外,推荐的栅极驱动电压已降至15V,从而提高了可用性。 此外,我们确认,由于栅极偏置,栅极阈值电压没有波动,这是SiC-MOSFET的可靠性问题
2020-02-08 Westpac Electronics 116
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第七代“ X系列” IGBT-IPM
为了进一步减小尺寸,减少损耗并改善逆变器性能,我们开发了第七代“ X系列” IGBT-IPM。 通过使用最新的第七代“ X系列”芯片和新的控制IC,与传统产品相比,该产品的发电损耗和在150°C的温度下连续运行可减少7%以上。 这样可以将设备的输出电流增加约31%。 另外,通过在常规保护功能之外还结合温度警告功能,可以防止设备的操作停止。 此外,由于在下臂的保护操作期间制动单元独立地操作,所以可以
2020-02-08 Westpac Electronics 111