用透射偏振显微镜评估SiC衬底上的晶体缺陷

2020-02-08 17:34:01 Westpac Electronics 102

单晶4H-SiC衬底仍然具有比硅衬底更高的晶体缺陷密度,并且其评估很重要。 作为无损评价晶体缺陷的方法,主要使用大型的同步加速器辐射设备的同步加速器辐射X射线形貌,但是设备本身的使用并不容易。 因此,作为评估SiC衬底的晶体缺陷的简单且无损的方法,研究了使用透射偏振显微镜观察由晶体位错产生的内部应变的方法。 可以预期将其用于晶体位错的更详细评估,这些晶体位错难以仅用同步辐射X射线形貌分析,商用SiC外延基板的验收检查方法以及SiC器件制造过程中的检查方法。

FUJI富士IGBT威柏德电子透過型偏光顕微鏡を用いたSiC 基板の結晶欠陥評価.pdf

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