全SiC模块可实现比Si-IGBT模块低得多的损耗。 富士电机一直在以自己的新结构封装销售全碳化硅模块。 这次，为了进一步扩大产品线，我们开发了一种All-SiC模块，该模块在封装中结合了第二代SiC沟槽栅极MOSFET，在外形和端子布局上均与传统的Si-IGBT模块兼容。 结果，可以将逆变器的发电损耗降低78％，并且可以扩大输出电流以增加电流密度，并有助于进一步减小电力电子设备的尺寸。

第2世代SiC トレンチゲートMOSFET 搭載.pdf

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