富士电机正在开发市场上的各种电力电子设备，以为实现低碳社会做出贡献。 为了进一步节省能源，我们开发了第二代SiC沟槽栅极MOSFET。 与第一代SiC沟槽栅极MOSFET相比，导通电阻降低了23％，这归因于器件的小型化，更薄的SiC衬底和更高的迁移率。 此外，推荐的栅极驱动电压已降至15V，从而提高了可用性。 此外，我们确认，由于栅极偏置，栅极阈值电压没有波动，这是SiC-MOSFET的可靠性问题，并且由于体二极管的导通，特性没有劣化（导通电阻上升）。

第2世代SiC トレンチゲートMOSFET.pdf

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