指小容量IPM连续工作时的最大温度TjOP=150℃。Tj(tl)=175℃是指过载或短路保护时产生的瞬时峰值温度。保证期间是累计100小时之内。

RC-IGBT是Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor的简称，表示反向导通IGBT。在IGBT模块中，将成对使用的IGBT和FWD制成一个芯片的元件。由于IGBT部和FWD部交替工作，具有优异的散热性，可以减少模块中的芯片数量，因此可期待实现IGBT模块的小型化和高可靠性。

• 富士电机技报 2016 vol.89 no.4 第7代“X系列”产业用RC-IGBT模块

在变频器电路等中，为了防止上下桥臂短路，在开关元件的ON/OFF切换的时间点所有开关元件OFF的期间。 详情请参考IGBT模块应用手册的第7章3。

• 富士IGBT模块　应用手册第7章

停止电机时，用于将电机的动能转换为电能并将其作为电阻（制动电阻）的热量消耗。与不使用制动电阻时相比，可缩短电机的减速时间。通过再生能量让直流电压上升，防止超过电解电容器的耐压。

请咨询富士电机或代理商的营业窗口。

• IGBT模块评估用板

请参考安装说明书。

• IGBT模块 安装说明书

主要是考虑外壳温度Tc以相对较长的周期上升/下降时的可靠性。因为金属底板和绝缘基板之间发生应力变形时，会引起绝缘基板下的焊料疲劳。详情请参考ΔTc和寿命之间关系的相关技术资料。

• IGBT模块应用手册 第11章

推荐使用-5 V至-15 V的范围。若-VGE小，则关断时间toff变长，导致关断损耗Eoff增加。另外，由于IGBT误触发，可能引发短路电流。

• IGBT模块应用手册 第7章

ΔTj功率周期损坏模式，在温度变化大时主要是焊料老化模式，在相对温度变化小时变成绑定线剥离模式。此外，在温度变化50℃左右时，从塑性区域转为弹性区域，因此在曲线上出现拐点。

• 富士技报 Vol.86 No.4 2013 保证175℃连续工作的IGBT模块的封装技术

两者之间基本成比例关系。直流电压越高，开关损耗就越高。

半导体芯片的结温Tvj发生变化的操作中，功率模块中的材料之间产生热应力。当反复受到热应力时，疲劳不断累积，最终将导致模块损坏。结温变化幅度ΔTvj越大，模块的寿命越短。模块能够承受结温变化的能力，就叫作ΔTvj功率周期耐受能力。

• IGBT模块应用手册 第11章

不推荐。

• IGBT模块 安装说明书

可以使用。

与IGBT一样，FWD也有安全工作区 SOA（Safty Operating Area）。图中所示为产品规格书中的图表。对于在反向恢复期间施加的电压VAK与正向电流IF乘积的最大功率Pmax允许的区域，需要设计成将VAK-IF的轨迹包含在SOA以内。若施加超过Pmax的电力，则可能导致FWD损坏。在这种情况下，请采取增加IGBT门极电阻、追加缓冲电路抑制电压尖峰等对策。

• V系列IGBT模块应用手册第2章

• X系列IGBT模块应用手册第2章

请在规格书的可靠性试验项目中明确规定的“焊锡耐热试验条件”下进行。 同时在模块端子部分安装热电偶并测量实际温度进行确认。

• IGBT模块应用手册 第4章

下面举例说明。如果和这个例子不一样，请使用寿命更严峻的曲线进行设计。

请不要进行任何连接。此端子未连接IGBT模块内的任何地方。

有内置1个开关元件的斩波模块。用于升压时，在下桥内置有IGBT。用于升压/降压时，请从串联开关元件的2-Pack中进行选择。不使用2-Pack中的某一个IGBT时，请将门极与发射极之间短路，以免造成误触发。

可以使用。如果不使用2in1模块的单侧IGBT，请将门极和发射极端子之间短路，以免造成误触发。

不是。指的是IPM输入端子Vin的死区时间。

由于二极管的损耗增加，请确认二极管温度不要超过绝对最大额定值，并是否满足ΔTvj功率周期耐受能力。另外，请确认在通电和瞬时停电时不会因过大的浪涌电流而损坏。

警报输出时间宽度tFO:最小值20μs，标准值50μs左右。但是标准值并不是保证值。

建议使用G776。详情请咨询信越化学工业。但是，富士电机不保证导热硅脂与IGBT模块结合使用时的特性。

• 信越有机硅 油脂/油化合物

是±10％，但这个值并不是保证值。

检测的是LVIC（下桥IGBT驱动IC）的温度，不是IGBT结温。

• Small IPM　应用手册　第3章　

IGBT门极驱动IC，包括BROADCOM、瑞萨电子、德州仪器、Isahaya电子、东芝等各个公司都有销售。由于内置短路保护和低电压保护功能等，可以轻松设计驱动电路。富士电机备有带驱动IC的IGBT模块测试板，请下载参考。但是，富士电机不保证与IGBT模块组合使用时的特性。

• IGBT模块评估用板

为了抑制集电极和发射极之间的电压尖峰而设计的保护电路。

• IGBT模块应用手册 第5章

将所有主端子和控制端子短路，并在所有端子和背面的金属部件之间，在规定时间内施加规定的交流电压。

截至V系列，-IC: 表示内置二极管所允许的最大直流正向电流， -Ic pulse: 表示内置二极管所允许的最大脉冲正向电流。
从X系列起，参照IEC规格，表述为IF, IFRM 。

• X系列IGBT模块应用说明第1章 X系列的基本概念和特征

表示“相对漏电起痕指数”。对于在太阳能发电和风力发电等恶劣设置环境中使用的功率模块的树脂密封，提高耐电痕性是必不可少的。作为封装树脂表示耐电痕性的相对漏电起痕指数要达到材料组Ⅰ中所要求的水平。

有多种与主端子间距相匹配，并具有不同的耐压和静电容量的缓冲电容器。请咨询Rubycon公司。

• Rubycon公司网站

• PV逆变器用IGBT模块介绍资料

M□□□： IGBT模块产品
P□□□： IPM产品

仿真软件中输入的损耗使用的是实测值。实测值都在各个型号的规格书所记载的代表特性范围内。因此，如果输入条件超出实测值范围，就会出现错误。

没有输入信号，也可能输出报警信号。例如 IGBT芯片过热TjOH、控制电源电压欠压UV，都不依赖于输入信号，只要有过热或欠压，就会输出报警信号。至于短路SC/过电流OC，输入信号IGBT ON（Vin: Low Level）为输出报警信号的AND条件。

• 富士IGBT V-IPM 应用手册第3章

可以自动恢复。当超出警报输出时间tFO后，如果故障原因消失，将自动解除保护。

• Small IPM　应用手册　第3章　

terminal的VCEsat, VF是主端子测量的导通电压，因此包括模块内部布线中产生的电压。测量端子上的导通电压时请参考。 另一方面，chip的VCEsat, VF是指靠近半导体芯片的导通电压，因此不包括模块内部布线的电压。在计算IGBT和FWD中产生的导通损耗时，请根据芯片的导通电压进行计算。

不同颜色的模块在特性上不存在差异。 第5代模块（U系列）之前，所有模块都是黑色的，但在第6代模块（V系列）之后，取得了 RoHS认证， 为了区别于以前的产品，所以采用了茶色。

模块内部的主电流布线的电阻值，可根据规格书中记载的VCEsat, VF的terminal和chip值进行计算。
　例: 2MBI600XNE120-50 (Tvj=25℃, Ic=600A)
　　　VCEsat (terminal) = 2.20V, VCEsat (chip)=1.45V
　　　内部布线电阻 Rint = (2.20V-1.45V)/600A=1.25mΩ
关于内部接线电感值，敬请咨询。

在规格书/数据表中记载的I2t及IFSM的值是正弦半波10ms的浪涌电流波形的保证值。关于10ms以外的I2t及IFSM，敬请咨询。

请咨询富士电机或代理商的营业窗口。