由陶瓷基板、构成电路的表面铜箔、用于和铜底板焊接的背面铜箔组成。具有通电部和铜底板之间的电气绝缘，以及对半导体芯片所发产生的热进行散热的作用。陶瓷基板的材料主要使用氧化铝、氮化铝、氮化硅等。

在规格书中未规定开关频率（载频）。如果频率增加，则开关损耗也会增加，将导致结温问题。如果温度在绝对最大额定值的范围以内就可以使用，V系列IGBT模块可在约15kHz以下使用。如果是以20kHz以上的频率进行开关的焊接机、医疗设备的电源，则推荐使用高速标准型2in1模块或W系列的分立IGBT。

广濑电机销售适合V-IPM系列端子形状的插件。
P630： MA49-19S-2.54DSA、MA49-19S-2.54DSA(01)
P631： MDF7-25S-2.54DSA
插件的购买、可靠性相关问题，请咨询广濑电机。

• V-IPM应用手册第4章

• 广濑电机　产品信息（P630用）

• 广濑电机　产品信息（P631用）

适合的插头为110系列。请选择符合插头尺寸宽度2.8mm、板厚0.5mm的插件。泰科电子公司、日本压着端子制造株式会社、NICHIFU等均有出售，敬请咨询。

• 日本泰科电子公司　产品信息

• 日本压着端子制造株式会社　产品信息

• NICHIFU　综合目录

是指不用焊接便可安装到PCB上的端子形状。PIM及6-Pack产品采用该引脚。PCB的通孔上放置IGBT模块，通过底板面施加压力便可完成连接，因而可以缩短装配工序。需要准备专用的压接装置以及夹具。我们不销售压接装置及夹具。

• 富士技报

由于绝缘基板的材料不同，热阻也不同。VDA型使用氧化铝，而VDN型使用高散热材料，因而热阻比VDA低大约30％。希望降低Tj max.，以及延长ΔTj功率周期寿命时，将发挥功效。

• http://www.fujielectric.com.cn/products/semiconductor/model/igbt/application/box/doc/pdf/small_ipm/b_small_ipm_03_E.pdf

• http://www.fujielectric.com.cn/products/semiconductor/model/igbt/ipm.html

用于驱动高侧IGBT的控制电源构成的电路。无需准备具有多个二次绕组的变压器，可实现单电源化。由于小容量IPM中内置自举电阻和自举二极管（BSD），因而通过外设自举电容便可简单构成自举电路。

• 小容量IPM应用手册第3章

V系列IPM的输入信号为Low时IGBT开通。小容量IPM的输入信号为High时IGBT开通。

相同额定值的产品，无论是富士电机不同系列之间相比，还是与其他公司的产品相比，热阻都有所差异。热阻小的产品，半导体芯片尺寸大，或绝缘基板使用了热导率好的陶瓷材料。

所谓1device，表示每1个桥臂。根据型号不同，有的在每1个桥臂上并联多个芯片。此时，需将并联的芯片视为1个芯片。

是指外接电阻值。不包括模块内置Rg(int)。

是指反向偏置安全工作区Reverse Bias Safety Operating Area）。在数据表中记载有在最大连续工作温度Tjop的条件下，达到2倍额定电压和额定电流时的特性曲线图。表示在IGBT关断时，能够安全工作的Vce和Ic的范围。如果在RBSOA范围内，便可进行重复工作。

• 应用手册第2章

是指短路安全工作区（Short Circuit Safety Operating Area）。变频器装置等发生负载短路、桥臂短路、接地等事故时，IGBT中流过高于额定电流数倍的电流。为了在该情况下保护IGBT，规定了SCSOA。IGBT各代产品及耐压不同，SCSOA特性也有所差异，请确认各自的技术资料。

• V系列通用技术资料

请咨询富士电机或代理商的营业窗口。

传导噪声（噪声端子电压）和辐射噪声两种。传导噪声是通过主电路配线等导体以及接地线等进行传播的噪声，分为差模噪声和共模噪声两种。辐射噪声是装置内产生的噪声，以装置的配线或机箱作为天线，向空中发射出去。详情请参考IGBT应用手册的第10章。

• 应用手册第10章

可以在交流电源侧追加LC滤波器，追加铁氧体磁心，以及调整门极电阻，在开关时抑制dv/dt等。详情请参考IGBT应用手册的第10章。

• 应用手册第10章

可以减少噪声发生源环路电流的面积，调整门极电阻等。详情请参考IGBT应用手册的第10章。

• 应用手册第10章

请咨询富士电机或代理商的营业窗口。

• 咨询

丝网的厚度为200um，是在导热硅脂涂敷部开了多个孔的金属板。使用丝网涂抹导热硅脂，可以使厚度均匀到100um。我们不销售丝网，但是可提供对应封装的丝网图纸。

铝导线会脱落，芯片下的焊接会产生龟裂。电流集中于芯片局部，热阻上升，从而导致过热损坏。

请咨询富士电机或代理商的营业窗口。

• 咨询

半导体芯片产生功率损耗时，由于构成IGBT模块的材料具有热容量，所以结温Tvj不会立刻升高。数据表的公式，显示了在施加单个方波脉冲的情况下，该脉冲宽度tw与瞬态热阻的关系。所以根据瞬态热阻，可以求出瞬态的结温升ΔT(j-c)。

整流二极管的损耗平均值可通过简单的计算公式求出。

传统的NPC 3电平转换电路其电路结构类似英文的"I"，所以称为I-Type，而A-NPC转换电路的电路结构类似英文的"T"，所以称为T-Type。富士电机将反向阻断IGBT (RB-IGBT)应用于双向开关的T-type转换电路，相比二极管与IGBT串联连接的传统T-type，可大幅度减小损耗。

• 3电平模块 应用手册

• IGBT模块 评估用板

• 富士电机技报 2013 vol.86 no.4 用于3电平电转换的大容量IGBT模块

如果主电路的杂散电感Ls小，则VCE电压下降（ΔV＝-LS×di/dt）变小，Eon变大。

关于外形图中未标注的详细尺寸，请咨询我公司。

Hybrid SiC模块可使用与全硅IGBT模块相同的导热硅脂。

• IGBT模块应用手册第6章

有面向一般工业用途开发的绝缘耐压2500V的产品（V-IPM，R-IPM）和主要为空调开发的绝缘耐压1500V的小容量IPM。面向一般工业用途的产品，具有铜基板和良好的散热能力，并有通过直接检测IGBT芯片温度来实施保护的功能，广泛应用于伺服、机器人、电梯等领域。另一方面，小容量IPM采用行业标准封装，具备与其他公司产品的兼容性，内置了高耐压电平转换电路及自举二极管，因而具有可轻松设计外围电路的优点。

• 富士电机技报 2016 vol.89 no.4 第2代小容量IPM的系列化

• 富士IGBT V-IPM 应用手册

请咨询富士电机或代理商的营业窗口。

短路耐量根据芯片的设计和耐压等级而有所不同。短路耐量tSC－直流电压VCC相关的技术资料已在官网发布，请下载参考。

• IGBT模块　X系列通用　技术资料

• IGBT模块　V系列通用　技术资料

发生变频器设备事故或异常运行而流过大电流时，从短路电流开始到IGBT击穿为止的时间称为短路耐量。需要将保护电路设计成可在不超过短路耐量的短时间内检测过电流，并关断门极脉冲。

• IGBT模块应用手册 第5章

每1个引脚为50 A。

一样。

(1)低损耗
与传统产品(我公司第6代V系列)相比，变频器运行时的电力损耗降低10%
(2) 小型化
在降低电力损耗的同时，抑制发热，与传统产品相比，实现了约36%的小型化
(3) 高温运行和高可靠性
实现了最大结温Tvjop为175℃的连续运行并提高了可靠性
详细信息请参照第7代IGBT模块“X系列”新产品信息。

• X系列IGBT模块应用手册第1章

• 第7代IGBT模块“X系列”新产品信息

考虑VCEsat不同的2个IGBT并联连接的情况。
(1)电流集中到 VCEsat低的IGBT。
(2) 由于电流集中，此IGBT的损耗变大，导致结温上升。
(3) 如果此IGBT具有正的温度特性，随着结温Tvj的上升，VCEsat升高，所以流过的电流趋于减少。这样，并联的2个IGBT的电压趋向于相同方向变化，电流也就趋向于平衡。

• IGBT模块应用手册第8章

可从富士电机官网下载。建议使用自由词搜索功能。如果需要正在开发的产品数据表，请咨询富士电机或代理商的营业窗口。

在f=1k～1MHz范围内几乎没有频率依赖性。

请参考“控制电源消耗电流的载波频率依赖性”的技术数据。

• 控制电源消耗电流的载波频率依赖性

请咨询富士电机或代理商的营业窗口。

请参考应用手册的第4章2。

• 小容量IPM_X系列 应用手册第4章 电源端子的详细信息