IPM没有死区时间设置功能。请在外部输入的门极信号中，设置恰当的死区时间。

QG的值，不会随着电源电压、电流、温度产生影响实际使用的变化。

IGBT模块：3μs以上、IPM：1μs以上

• IGBT模块应用手册 第7章

精度不会发生变化。TEMP输出电压在室温以下时显示钳位特性。如果低于室温的条件下需要输出电压的线性度，请加下拉电阻。

• Small IPM应用手册 第3章

TEMP端子可以直接连接到MPU（Micro processing unit）。

• Small IPM应用手册 第3章

输出模拟信号。

• Small IPM应用手册 第3章

E型：标准型
P型：抑制关断尖峰电压的软开关型

如果关断截止电流增加，则di/dt增加，由寄生电感LS引起的感应电压Ls・di/dt将作用于IGBT芯片，导致芯片承受高电压。由于该高电压，可能导致芯片发生雪崩击穿，所以RBSOA的最大电压也相应降低。

直流短路是上下桥直通短路，而负载短路，是在IGBT导通的状态下发生的短路，可能产生超过器件饱和电流的短路电流。

• IGBT模块应用手册第 5章1.2

近年来开发的IGBT在正常使用范围下不闩锁。

结与NTC之间的热阻，根据模块内部结构、导热硅脂、散热片等条件会有所变化。请咨询富士电机或代理商的营业窗口。

IGBT模块没有关于 FBSOA 的规定。 但是规定了FWD的SOA。

• X系列IGBT模块应用手册第2章

IPM内置了印刷电路板、IC、电容器等电子部件。因此，比普通的IGBT模块温度范围小。

小容量IPM已内置自举二极管和限流电阻，当然在外部追加自举电路也没有问题。

• Small IPM应用手册 第3章

在门极开路状态下，给C-E之间施加电压，由于Cres和Cies的分压电压被施加到门极，容易引起门极过电压损坏，或者门极处于半开通状态，使得温度上升导致过热损坏，因此在变频器电路中推荐在门极驱动电路确立之后，再施加C-E间电压。或者为稳定门极电位，可以通过在G-E之间加10kΩ左右的电阻，避免这种损坏现象。如果该电阻过小，与门极电阻RG分压的电压变成门极偏置电压，可能产生门极电压比设计值低或驱动电路的电流消耗增加的问题。因此，相对于开路状态足够低的电阻值就能充分满足要求，不必随着额定电流来改变。

• IGBT模块应用手册 第7章

二极管的安全工作区域（SOA）。表示由反向恢复期间施加的电流和电压的乘积所确定的最大功率可接受的范围。该最大功率被称为Pmax。

• V系列IGBT模块应用手册第2章

使用RB-IGBT的主要优点是电流流过的器件数量少于传统方法的数量。因此，双向开关元件的导通损耗减小。

• 3电平模块 应用手册

• PV逆变器用IGBT模块介绍资料

允许的端子温度是125℃。但是，PrimePACKTM可允许的端子温度是150℃。

主要是关断损耗Eoff受影响。-VGE增加，则Eoff减少。

IGBT模块的损坏模式主要有过电流、过电压、过热等。每一种原因都需要调查。但是，事实上只是从IGBT模块的损坏状态来确定损坏原因很困难。需要结合损坏时的电压VCE、电流IC、门极电压VGE等信息，全面地进行分析判断。详细信息请参考应用手册。

• IGBT模块应用手册 第4章

3电平变频器相对于2电平变频器，可以实现系统的小型化和高效率。2电平变频器是用2个电位来控制输出电压波形，而3电平变频器用3个电位进行控制。由于输出波形更接近正弦波，因此可以减小LC滤波器的尺寸并降低开关损耗。

• 3电平模块 应用手册

• 富士电机技报 2013 vol.86 no.4 用于3电平电转换的大容量IGBT模块

切断引脚也没有问题。但是，请注意不要对基板施加压力。

请使用驱动IC的推荐电路。设定合适的电路参数以保证在每个系列的短路耐量期间内完成保护操作。

短路电流值是由门极电压决定的，因此请根据短路时的门极电压来判断。短路时门极电压也可能会升高，因此建议根据最坏条件来考虑。

表面温度与背面温度之间存在温度差，背面温度更高。

不是基板整体的平均值。它是指芯片正下方的外壳温度。

外壳侧面温度与外壳温度Tc不同。半导体芯片的热量通过绝缘基板传导到铜底板和散热器。外壳侧面温度比Tc低很多。

• 应用手册第6章2.1

NTC热敏电阻温度和外壳温度不同。一般来讲，芯片正下方的外壳温度Tc比NTC热敏电阻的温度高。

NTC热敏电阻温度和结温Tvj不同。结温Tvj比NTC热敏电阻温度高。热敏电阻和IGBT芯片在同一绝缘基板上，但远离IGBT芯片。

NTC热敏电阻温度和散热片温度Ts不同。

一样。关于电阻值及B常数，请确认每个型号的数据表。

如果使用滚筒或刮刀涂抹导热硅脂，会出现导热硅脂涂抹量不一样或无法均匀涂抹的问题，因此不建议使用。强烈推荐使用丝网进行涂抹（参考Q40）。

• 应用手册第6章3.3

• 安装说明书

在推测结温Tvj时，请使用chip的特性数据进行计算。

请咨询广濑电机。

举一个1200 V / 300 A模块的损耗计算例。
①输出电流Io=212Arms时，在同样损耗的条件下，开关频率可以比全硅模块提高1.5倍
②或者开关频率fsw=16kHz时，在同样损耗的条件下，输出电流可以比全硅模块提高1.2倍。

可用于工业变频器、新干线车辆主转换设备、大容量UPS、蓄电系统等。

有。从下面进行下载。

• 小容量IPM系列通用 技术资料

有关系。门极电压VGE高，则短路电流ISC增加，短路耐量tSC缩短。

在仿真软件中输入条件，就可以轻松计算。请下载仿真软件。

• FUJI IGBT模拟软件

为了提高功率转换器的效率，需要降低功率器件在导通状态下的导通损耗和瞬时产生的开关损耗。但是，如果要降低导通损耗，则存在开关损耗会增加、损坏耐量降低的关系。这被称为均衡关系。