EV、HEV用IGBT模块(6MBI800XV-075V-01)的新产品信息

EV、HEV用IGBT模块采用直接水冷铜散热片基础结构、实现了高功率密度和小型封装的EV、HEV用IGBT模块产品中分别内置有6个IGBT和FWD。此外,还内置有用于检测温度的热敏电阻。EV、HEV用IGBT模块 750V级EV、HEV用IGBT模块(6MBI800XV-075V-01)的新产品信息.pdf※点击产品图像即可查看等效电路图。VCE(sat): at Tvj=25°C, ChipPa

EV、HEV用IGBT模块

采用直接水冷铜散热片基础结构、实现了高功率密度和小型封装的EV、HEV用IGBT模块
产品中分别内置有6个IGBT和FWD。此外,还内置有用于检测温度的热敏电阻。

EV、HEV用IGBT模块 750V级

FUJI富士IGBT威柏德电子EV、HEV用IGBT模块(6MBI800XV-075V-01)的新产品信息.pdf

※点击产品图像即可查看等效电路图。

VCE(sat): at Tvj=25°C, Chip

PackageDevice typeVCES
Volt
IC(Cont)
Amps.
IC(Peak)
Amps.
VCE(sat)
Typ. Volts
VF
Typ. Volts
Net mass Grams







FUJI富士IGBT威柏德电子
M653
6MBI800XV-075V-0175057016001.45 (IC=800A)1.50 (IF=800A)560g

从防止地球变暖和改善大气环境等的角度来看,纯电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的普及备受期待。

为了减轻环境负担、提升续航里程,EV、HEV努力降低油耗(电费),追求搭载部品的小型、轻量化。

为了满足这一需求我们将“电装用直接水冷型功率模块”(IGBT模块)产品化。

IGBT 为节能做贡献

※1 RC-IGBT : Reverse Conductive Insulated Gate Bipolar Transistor 6MBI800XV-075V-01

MTET0-3119-CN

・通过采用第 7 代 RC-IGBT※1 和水冷散热器一体结构,与传统机型相比电力

电流密度提升了 40%。实现了模块的小型化。

・通过二个芯片上搭载的传感器实现高速、高精度的过热保护、短路保护。提

升了安全性。

・通过超薄型 23.5mm 的结构和法兰结构,轻松实现了与驱动电机的一体化。

1. 通过7G-RC技术和3G散热器实现了小型化

采用①7G-RC(第 7 代 RC-IGBT)技术和②3G 冷却器(水冷散

热器和模块一体化),与我司以往型号相比电流密度提升了

40%,实现了模块的小型化。

拥有超过 20 年的 Fe 独有技术,通过搭载两个芯片传感器①温

度检测二极管和②电流传感器 IGBT,实现高速且高精度的过热

保护、短路保护,保护客户的安全。

通过利用模块水冷散热器一体化实现模块薄型化和采用法兰结

构,轻松实现了模块、驱动电机的一体化。

利用评估工具简单、安全地评估模块特性。

通过驱动电路设计案例来支持客户系统设计。

详情请咨询代理店、各销售部门。

电压: VCES

电流: I

CN

用途 

输出

VDC

I

C最大

I

C额定

f

SW

饱和电压 VCE(SAT)

内部构造

6MBI800XV-075V-01

700V/750V @Tj

=-40/175°C

800A

1.45V/1.65V Typ.@Tj

=25/175°C

6 in 1

3相电机用逆变器

80~150kW

400V

460Arms@1sec

430Arms

6kHz

162 x 117 x 23.5(mm) / 560(g)

最大额定值

参考构造示例

尺寸 / 重量

型号

3. 易于实现客户系统的小型化

2. 利用高精度保护功能提高了安全性

4. 利用评估工具缩短设计时间

G: Gate terminal

E: Emitter terminal

S: Sense terminal (Current mirrer emitter)

A: Anode terminal (Temperature sensing diode)

K: Kathode terminal (Temperature sensing diode)

P: Potential 

* one arm is including two chips.

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