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适用于电动大巴及大功率变频器的2MBI800XNE-120
低损耗 通过减小模块内部IGBT及二极管芯片的厚度实现微细化， 从而优化了模块结构。 由此，与以往的产品（本公司第6代V系列）相比，减少了 变频器动作时的电力损耗。 变频器损耗减少10%、芯片温度降低11℃ （相较于第6代V系列EP3封装75A、f c=8kHz）
提高功率密度
通过兼具高可靠性和高耐 热性的封装及芯片的优化， 实现了在175℃环境下的 连续动作。
适用于电动大巴及大功率变频器的2MBI800XNE-120
适用于电动大巴及大功率变频器的2MBI800XNE-120低损耗 通过减小模块内部IGBT及二极管芯片的厚度实现微细化，从而优化了模块结构。由此，与以往的产品（本公司第6代V系列）相比，减少了变频器动作时的电力损耗。变频器损耗减少10%、芯片温度降低11℃（相较于第6代V系列EP3封装75A、fc=8kHz）提高功率密度通过兼具高可靠性和高耐热性的封装及芯片的优化，实现了在175℃环境下的连续动作