EV、HEV用IGBT模块6MBI800XV-075V-01

EV、HEV用IGBT模块采用直接水冷铜散热片基础结构、实现了高功率密度和小型封装的EV、HEV用IGBT模块产品中分别内置有6个IGBT和FWD。此外，还内置有用于检测温度的热敏电阻。EV、HEV用IGBT模块 750V级※点击产品图像即可查看等效电路图。VCE(sat): at Tvj=25°C, ChipPackageDevice typeVCESVoltIC(Cont)Amps.IC(Pe

EV、HEV用IGBT模块

采用直接水冷铜散热片基础结构、实现了高功率密度和小型封装的EV、HEV用IGBT模块
产品中分别内置有6个IGBT和FWD。此外，还内置有用于检测温度的热敏电阻。

EV、HEV用IGBT模块 750V级

※点击产品图像即可查看等效电路图。

VCE(sat): at Tvj=25°C, Chip

Package	Device type	VCES Volt	IC(Cont) Amps.	IC(Peak) Amps.	VCE(sat) Typ. Volts	VF Typ. Volts	Net mass Grams
Package	Device type	VCES Volt	IC(Cont) Amps.	IC(Peak) Amps.	VCE(sat) Typ. Volts	VF Typ. Volts	Net mass Grams
M653	6MBI800XV-075V-01	750	570	1600	1.45 (IC=800A)	1.50 (IF=800A)	560g