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采用7脚D2PAK封装的新款Vishay Siliconix 40V N沟道TrenchFET®功率MOSFET通过AEC-Q101认证并具有1.1mΩ的低导通电阻和200A的连续漏极电流

采用7脚D2PAK封装的新款Vishay Siliconix 40V N沟道TrenchFET®功率MOSFET通过AEC-Q101认证并具有1.1mΩ的低导通电阻和200A的连续漏极电流

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Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET。SQM200N04-1m1L特别针对"重型"汽车应用,是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。

通过高密度TrenchFET技术,器件在10V和4.5V下实现了1.1mΩ和1.3mΩ的超低最大导通电阻,将传导损耗最小化,并能在更低的温度下工作。此外,器件的连续漏极电流达200A,工程师能够设计出更具鲁棒性的产品,为关键的安全应用提供额外的安全余量。

今天发布的SQM200N04-1m1L适用于电动转向助力等高功率车用电机驱动应用。器件采用了专门设计,在生产过程中进行了100%的测试,可承受100A和500mJ的单个雪崩脉冲。器件具有0.4˚C /W的低热阻(结至外壳),工作温度范围-55˚C~+175˚C。

SQM200N04-1m1L符合RoHS,通过100%的Rg和UIS测试。器件丰富和扩展了通过AEC-Q101认证的Vishay TrenchFET功率MOSFET系列,更多信息请访问http://www.vishay.com/mosfets/automotive-mosfets/

新款车用功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产

 

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点击次数:  更新时间:2016-04-09 22:35:17  【打印此页】  【关闭