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关于扩充碳化硅SiC混合IGBT模块产品系列以及开始样品出货的通知

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威柏-碳化硅SiC混合IGBT模块产品业务总监:
Danny Tang 汤孝丹
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关于扩充碳化硅SiC混合IGBT模块产品系列以及开始样品出货的通知

富士电机将扩充装载新一代功率半导体元件SiC(碳化硅)的混合模块产品系列,并开始样品出货,特发通知。 
 

1. 目的 
与Si(硅)元件相比,SiC元件更容易实现高耐压,且开关损耗小,所以在降低装置电耗方面备受瞩目,预计全球市场今后五年的年均增长率※1将达到35%左右。 
本次的出货样品是由使用SiC元件的SBD(肖特基势垒二极管)和使用Si元件的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)构成的混合模块。产品系列从600V~1200V、乃至1700V,可广泛应用于各种工业机械的节能和小型化。

※1 数据来源 : IHS 2014。自2014年起五年的年均增长率。 
・本模块采用的SiC元件中运用了富士电机在自2012年度起参与“TPEC(筑波电力电子星座)”共同研究体后、与国立研究开发法人产业技术综合研究所共同研究的成果。

 

2. 产品特点

1)降低电力转换时的损耗,有助于设备节能。 
与以往的Si元件相比,可以大幅降低损耗,实现功率调节器的高效节能。就本公司生产的变频器而言,设备总损耗较以往机型降低了约30%。

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2)大功率和高频动作,节省设备占地空间 
与传统的Si元件相比,产品的输出功率最大提高至1.5倍(1700V产品)。在维持装置原有大小的同时,扩大了容量。比如本公司生产的变频器机容量从315kW扩大至450kW,以此可以减少装置的设置台数。

产品的动作频率最大可提升至2倍(1700V产品),且损耗保持不变。过滤器等周边元器件也因此可实现小型化。 
凭借上述优点,产品可节约设备的占地空间。

 

3)产品齐全,应用广泛 
产品系列得到扩充与完善,包括600V、1200V和1700V等从小到大各种不同容量的产品。 
可广泛运用于变频器、伺服、不间断电源装置、功率调节器等工业机械。

 

3. 产品规格、出货和销售时期


额定电压

额定电流

电路结构

封装尺寸 
(mm)

出货和销售时期

600V

50A/75A/100A

PIM※3

62 X 122

正在销售

1200V

35/50A

100A

6-pack

2015年6月 开始样品出货

300A

2-pack

62 X 108

2016年1月 
开始样品出货

1400A

89 X 250

1700V

400A

80 X 110

正在销售

1000A/1400A

89 X 250

2016年1月 
开始样品出货

1200A

140 X 130

※3 PIM(Power Integrated Module): 是指将三相整流桥、制动器、三相变频器电路封装成一个模块的电路。

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点击次数:  更新时间:2015-07-27 14:21:39  【打印此页】  【关闭