Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，是一种门极部分的构造与MOSFET相同，且拥有通过氧化物绝缘膜实现绝缘的门极部分的电压控制型设备。可同时发挥MOSFET和双极型晶体管的优势，对于使用高电压及大电流的电力转换电路而言是一种不可或缺的设备。主要用于空调和微波炉等民用设备、电梯等工业设备、HEV及EV的变频器等。

一般的IGBT不具备反向耐压能力。在变频器电路中，驱动电动机等电感负载时，开关时IGBT中会朝反方向（由发射极向集电极方向）持续流动负载电流，因而可能会导致IGBT损坏。通过将负载电流转移到和IGBT反并联的二极管（FWD：续流二极管）上，以此保护IGBT。

IGBT的基本构造为在MOSFET漏极侧加装了P层。IGBT适用于大电流高耐压的应用，MOSFET则适用于小容量高速开关的应用。

是指Reverse Blocking Insulated Gate Bipolar Transistor ，通过反并联RB-IGBT，可实现双向开关。适用于具有中性点钳位 AT-NPC（Advanced T-type Neutral Point Clamped）式3电平变频器，由于电流通过的器件数较少，因而可提高电力转换效率。

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是指Silicon Carbide（碳化硅），与硅相比带隙更宽，有望成为一种可实现高温动作、高速开关、低损耗、高耐压的下一代功率设备材料。

• SiC器件产品页次

内置多个功率半导体器件，组成电桥电路等。在散热方面，由于与电气类绝缘，因而多个模块之间无需借助绝缘物，便可排列在同一个散热器上。与使用多个分立产品相比，不仅可以处理大电流，而且在小型化、轻量化、装配方面具有卓越特性。

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• 应用手册第1章

Power Integrated Module，是将3相整流电路、3相变频器电路、制动电路集成到1个模块上的产品。也称之为CIB（Converter Inverter Brake）。

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Intelligence Power Module，是内置3相变频器电路、门极驱动电路以及具备各种保护电路的控制IC的模块产品。与由外部电路构成驱动的一般IGBT模块相比，具有可容易设计外围电路的优点。有内置制动电路的7in1和无制动电路的6in1两种类型。

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在FWD部使用SiC制SBD（Shottky Barrier Diode），并组合了Si制IGBT的产品。与以往的全硅芯片产品相比，损耗可降低约25%。SiC器件具有出色的特性，能够实现高耐压、高温动作和高频动作，作为下一代的半导体而备受瞩目。

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由于PIM是将3相转换器电路、制动电路、3相变频器电路集成到1个模块上的产品，能够紧凑地设计主电路。而IPM除了制动电路、变频器电路之外，还内置了有门极驱动电路和保护电路的控制IC，因而具有容易设计外围电路的优点。

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