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![[现在与未来]功率半导体的现状与展望]()
[现在与未来]功率半导体的现状与展望
随着人口增长和经济增长，世界能源消费正在稳步增长。 为了通过抑制二氧化碳排放来抑制全球变暖，除了节能之外，还可以扩大太阳能发电和风力发电等可再生能源，并在最近几十年进一步消除汽油车的销售 正如每个国家所宣称的那样，通过引入电动汽车（xEV）以及进一步脱碳进一步减少碳排放的进程正在迅速发展。富士电机开发并商业化功率半导体，功率半导体是电力电子产品中的关键设备，用于稳定和最有效地利用能源，并有助于实现
2019-03-08 Westpac Electronics 602
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![高功率器件的壽命测试 Lifetime testing of power components]()
高功率器件的壽命测试 Lifetime testing of power components
高功率器件的壽命测试Lifetime testing of powercomponents汽車用 IGBT 測試Automotive IGBT testing高功率器件的壽命测试 Lifetime testing of power components.pdfInsulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) / Power Electronics Applicat
2019-02-08 Westpac Electronics 309
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![功率半导体应用手册]()
功率半导体应用手册
功率半导体应用手册点击下载：功率半导体应用手册 (第2版).pdf集成在功率模块中的 IGBT 和 MOSFET 是当今电力电子电路的关键部件，其应用范围正在不断拓展到新领域。与此同时，整流二极管和晶闸管作为一种将电路连接到功率电网的高性价比方式，其需求也在不断增长。本应用手册旨在为用户选择与使用此类装置提供支持。465 页全面的功率半导体知识本手册包含基本的半导体背景知识，能够让读者对应用可能性
2019-01-04 Westpac Electronics 352
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![IGBT器件“一条龙”应用计划]()
IGBT器件“一条龙”应用计划
IGBT器件“一条龙”应用计划申报要求 一、产业链构成 瞄准智能电网、轨道交通和新能源汽车行业等终端用户，以产业链上下游供需能力为基础，应用为导向，针对关键环节重点基础产品、工艺，推动相关重点项目建设和技术突破，形成上下游产业对接的“一条龙”应用示范链条，解决我国能源交换与传输技术的瓶颈。同时，按照“以我为主、兼收并蓄”的原则，推进产学研用国际化协同创新，深化产业链协作。关键产
2019-01-04 Westpac Electronics 409
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![正确理解 IGBT 模块规格书参数]()
正确理解 IGBT 模块规格书参数
正确理解 IGBT 模块规格书参数本文将阐述 IGBT 模块手册所规定的主要技术指标，包括电流参数、电压参数、开关参数、二极管参数及热学参数，使大家正确的理解 IGBT 模块规格书，为器件选型提供依据。本文所用参数数据以FUJI富士IGBT模块2MBI450VN-170 为例。一、电流参数1. 额定电流(IC nom)大功率 IGBT 模块一般是由内部并联若干 IGBT 芯片构成，2MB
2019-01-02 Westpac Electronics 581
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![IGBT 模块电磁兼容性设计]()
IGBT 模块电磁兼容性设计
IGBT 模块电磁兼容性设计(1)IGBT 模块的优化布局变流器主电路在空间产生的磁场强度随输入、输出母线中通过电流的强弱而变化，同时 IGBT 模块产生的空间交变电磁场的强度随其两端电压和电流突变的剧烈程度而变化。这些干扰信号很容易耦合到 IGBT 模块的驱动线上。通过合理的布局，可以使在功率驱动端附近和驱动线一带的空间交变电磁场强度最小，即干扰信号最小。设计中应采取以下措施。1)从滤波电容到
2019-01-02 Westpac Electronics 443
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![IGBT 模块可靠性经验分享]()
IGBT 模块可靠性经验分享
IGBT 模块可靠性经验分享随着风力发电、智能电网建设、电力汽车、高压变频器等新兴应用的崛起，大功率 IGBT 模块 的应用越来越多。而与之相应的是 IGBT 可靠性在大功率电源设计中的重要性与日俱增。本人甚至认为基于上述新兴应用领域的特殊性。系统可靠性已经成为最重要的设计指标之一。而大功率开关器件的可靠性问题更是重中之重。IGBT 模块失效的机理大致可以分作两大类共九个方面。他们分别是;第一类，
2019-01-02 Westpac Electronics 288
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![IGBT 模块损坏的原因]()
IGBT 模块损坏的原因
IGBT 模块损坏的原因IGBT 在使用过程中经常受到容性或感性负载的冲击，承受过负荷甚至负载短路等，可能导致 IGBT 损坏。IGBT 模块在使用时的损坏原因主要有以下几种情况。(1)过电流损坏1锁定效应。IGBT 为复合器件，其内有一个寄生晶闸管，在规定的漏极电流范围内，NPN 的正偏压不足以使 NPN 晶体管导通，当漏极电流大到一定程度时，这个正偏压足以使 NPN 晶体管开通，进而使 NPN
2019-01-02 Westpac Electronics 297
![[现在与未来]功率半导体的现状与展望](../upload/thumb_src/400_400/logo(2).gif?1525533116)