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基于电压电流的 IGBT 关断机理与关断时间研究
基于电压电流的 IGBT 关断机理与关断时间研究基于电压电流的 IGBT 关断机理与关断时间研究.pdf绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 是双极型晶体管 (BJT) 和场效应晶体管 (MOSFET) 的复合器件,IGBT 将 BJT 的电导调制效应引入到 VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有 MOSFET 栅极输入阻抗高、开关速度快的特点 [1,2]. IGBT 以其
2019-02-08 Westpac Electronics 365
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利用反激、SEPIC和Ćuk组合为IGBT电机驱动产生多个隔离偏置轨
利用反激、SEPIC和Ćuk组合为IGBT电机驱动产生多个隔离偏置轨利用反激、SEPIC和Ćuk组合为IGBT电机驱动产生多个隔离偏置轨.pdf先进电机驱动应用采用基于三相绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)的逆变器,后者由通常在400 V dc到800 V dc范围内的直流母线电压供电。该高压轨可以从三相整流器电桥滤波器组合或功率因数经校正的升压整流器直接获得,从三相交流输入产生高压轨(参见图1)。
2019-02-08 Westpac Electronics 281
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MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 本应用报告旨在展示一种为高速开关应用设计的高性能栅极驱动电路 应用非常重要。这是一个内容详实的主题集,可为您提供解决最常见设计难题的“一站式服务”。因此,它可为具有不同经验的电子产品工程师提供强大帮助。本报告对目前较为流行的电路解决方案及其性能进行了分析,包括寄生器件的影响、瞬态和极端工作条件。本文从 MOSFET 技术和开关运行概
2019-02-08 Westpac Electronics 1039
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富士电机X系列第7代IGBT和SiC相关器件亮相展会
富士电机(中国)有限公司携新品富士电机X系列第7代IGBT和SiC相关器件亮相展会。“IGBT模块是一种能实现节能和稳定供电的核心器件,被广泛应用于各种工业设备如电机驱动用变频器、不间断电源装置(UPS)、风能和太阳能发电设备用功率调节器等。富士公司第7代“X系列”通过薄化构成本模块的IGBT元件以及二极管元件的厚度,使其小型化,从而优化元件结构。因此,与以往产品相比,降低变换器运行时的电力损耗。
2019-01-25 Westpac Electronics 347
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IGBT应用及封装设计
IGBT应用及封装设计 针对国内外企业IGBT应用及封装设计的技术需求,ANSYS电机设计解决方案以Workbench为电磁、热、结构、流体多物理场耦合设计平台,以Simplorer为器件特征化建模、开关特性测试、变流电路设计及传导干扰分析平台,通过单/双向的多物理场耦合技术和鲁棒性设计,以器件与系统的降价模型和协同仿真接口,来高效解决IGBT应用与封装设计所面临的多物理场耦合设计和高精度器件与
2019-01-04 Westpac Electronics 1668
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IGBT模块应用常见问题解答
何谓外壳温度(Tc)?外壳温度(Tc)是指在温度最高的半导体芯片正下方的模块铜底板的温度。应用手册第2章1应用手册第6章问题解决了吗?是 否关于商品的咨询请点击此处Q 32IGBT模块外壳温度(Tc)的使用范围是多少度?请参考数据表“Maximum ratings: Case temperature”。IGBT产品页次应用手册第2章问题解决了吗?是 否关于商品的咨询请点击此处Q
2018-12-30 Westpac Electronics 403
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何谓功率半导体?
何谓功率半导体?“半导体”,顾名思义是指同时具有容易导电的“导体”和不导电的“绝缘体”两方面特性的物质。能够将交流电转为直流电——“整流”、增大电信号——“增幅”、导通或者阻断电——“开关”等。功率半导体是能够支持高电压、大电流的半导体。具有不同于一般半导体的结构,在使用高电压、大电流时也不会损坏。另外,由于使用大功率容易发热产生高温,因而成为故障发生的原因。 因此,我们正努力减少功率半导体本身因
2018-12-30 Westpac Electronics 526
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FUJI富士HJ高速IGBT模块-适用于高频电源
FUJI富士HJ高速IGBT模块-适用于高频电源M276100A2MBI100HJ-120-50 兼容代替FF100R12KS4 2MBI100HJ-120-50.PDF150A2MBI150HJ-120-50 兼容代替FF150R12KS4 2MBI150HJ-120-50.PDF200A2MBI200HJ-120-50 兼容代替FF200R12KS4&n
2018-12-29 Westpac Electronics 536