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![搭载RC-IGBT的车载用第3代直接水冷型功率模块的速度提升]()
搭载RC-IGBT的车载用第3代直接水冷型功率模块的速度提升
搭载RC-IGBT的车载用第3代直接水冷型功率模块的速度提升高下 卓马 ・ 井上 大辅 ・ 安达 新一郎富士电机开发了搭载有薄型化RC-IGBT（逆导型IGBT），具备速度提升封装构造的车载用第3代直接水冷型模块。通过运用将IGBT和FWD单芯片化的RC-IGBT，提升了开通时和关断时的开关速度。此外，通过RC-IGBT和内部布局的优化，寄生电感相比旧型封装降低了50%。并且，通过采用三相分别设置
2018-06-30 Westpac Electronics 370
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![第2代小容量IPM的系列化]()
第2代小容量IPM的系列化
第2代小容量IPM的系列化手塚 伸一 ・ 铃木 启久 ・ 白川 徹面向电动机驱动设备，我们在产品系列中新增了额定电流20A和30A的第2代小容量IPM。IGBT以第7代IGBT芯片技术为基础，FWD对漂移层厚度和寿命控制进行了优化，从而实现了低干扰、低损耗化，并大幅降低了元件的温升。在设想的适用对象，即标准制冷能力为14kW的整体式空调最大负载时的温升仿真中，相比第1代小容量IPM降低了约11℃
2018-06-30 Westpac Electronics 420
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![第7代“X系列”产业用RC-IGBT模块]()
第7代“X系列”产业用RC-IGBT模块
第7代“X系列”产业用RC-IGBT模块山野 彰生 ・ 高桥 美咲 ・ 市川 裕章近年来，IGBT模块面临着小型化、低损耗化、高可靠性化的强烈需求。为响应这一需求，富士电机运用将IGBT和回流二极管FWD 单芯片化的RC-IGBT（Reverse-Conducting IGBT：逆导型IGBT），开发出了产业用RC-IGBT 模块。同时，通过运用和优化第7 代“X系列”的技术，大幅降低了损耗和热阻
2018-06-30 Westpac Electronics 434
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![第7代“X系列”IGBT模块“Dual XT”]()
第7代“X系列”IGBT模块“Dual XT”
第7代“X系列”IGBT模块“Dual XT”吉田 健一 ・ 吉渡 新一 ・ 川畑 润也为响应电力转换装置小型化、低损耗化、高可靠性化的要求，富士电机在第7代“X系列”IGBT模块中，开发出了扩大了额定电流的“Dual XT”（X系列Dual XT）。X系列Dual XT通过改善半导体芯片的特性，减少了电力损耗，还通过改善封装结构，提升了封装的通电能力。另外，通过提升ΔTj 功率循环耐量和绝缘用硅
2018-06-30 Westpac Electronics 367
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![All-SiC模块用密封树脂的高耐热性化]()
All-SiC模块用密封树脂的高耐热性化
All-SiC模块用密封树脂的高耐热性化仲俣 祐子 ・ 立冈 正明 ・ 市村 裕司相比在175℃的温度下运行的传统Si 元件，SiC元件可在200℃以上的高温下运行，而为了将其普及，则要求构成功率元件的密封树脂具备更高的耐热性。我们确认到对于可最大限度地发挥SiC元件性能的All-SiC模块，通过延长耐热寿命、提升耐电痕性能等，可提高密封树脂的耐热性，实现200℃以上温度下的连续运行。全文下载：A
2018-06-30 Westpac Electronics 275
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![All-SiC模块的高耐压化]()
All-SiC模块的高耐压化
All-SiC模块的高耐压化日向 裕一朗 ・ 谷口 克己 ・ 堀 元人现在，在耐压1kV左右的领域中不断普及的SiC元件，预计将被用于混合动力汽车、电动汽车等对可靠性要求极高的领域，以及铁路等耐压3～10kV的高耐压领域中。富士电机开发了由铜柱连接和树脂密封构成的新封装结构，实现了All-SiC模块的高耐压化。根据电场仿真和热分析的结果，对绝缘基板中电极的位置和厚度进行了优化，由此兼顾了电场强度
2018-06-30 Westpac Electronics 310
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![All-SiC 2 in 1模块]()
All-SiC 2 in 1模块
All-SiC 2 in 1模块蝶名林 干也 ・ 大友 良则 ・ 唐泽 达也为制造出支持IP65 的防尘防水型高性能紧凑型变频器，富士电机使用SiC元件，开发出了All-SiC 2 in 1模块。SiC元件相比Si元件，可大幅降低开关损耗，但为了使用该元件，在减低模块内部的配线电感的同时，还必须运用可保证高温下运行的高可靠性封装技术。为解决这些，富士电机开发了新的封装结构。相比使用Si元件的传统变
2018-06-30 Westpac Electronics 273
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![1.2kV SiC沟槽型栅MOSFET]()
1.2kV SiC沟槽型栅MOSFET
1.2kV SiC沟槽型栅MOSFET辻 崇 ・ 岩谷 将伸 ・ 大西 泰彦迄今为止，富士电机致力于开发SiC平面型栅MOSFET，并使其产品化。平面型栅MOSFET过度微细化后会增加JFET电阻，无法将低导通电阻降低至理论极限。相对而言，沟槽型栅MOSFET就没有类似问题，越是微细化越可以降低导通电阻。因此，我们开发了1.2kV SiC沟槽型栅MOSFET。在缩小镶边网格尺寸和优化MOS通道
2018-06-30 Westpac Electronics 313
