.png)
-
![[现在与未来]功率半导体的现状与展望]()
[现在与未来]功率半导体的现状与展望
随着人口增长和经济增长，世界能源消费正在稳步增长。 为了通过抑制二氧化碳排放来抑制全球变暖，除了节能之外，还可以扩大太阳能发电和风力发电等可再生能源，并在最近几十年进一步消除汽油车的销售 正如每个国家所宣称的那样，通过引入电动汽车（xEV）以及进一步脱碳进一步减少碳排放的进程正在迅速发展。富士电机开发并商业化功率半导体，功率半导体是电力电子产品中的关键设备，用于稳定和最有效地利用能源，并有助于实现
2019-03-08 Westpac Electronics 602
-
![山陽電気鉄道株式会社 5000系リニューアル車向け SiCハイブリッドモジュール搭載の鉄道車両用VVVFインバータ]()
山陽電気鉄道株式会社 5000系リニューアル車向け SiCハイブリッドモジュール搭載の鉄道車両用VVVFインバータ
为了应对全球变暖等环境问题，提高了运输设备的节能性。 在铁路车辆中，正在减少诸如VVVF（可变电压可变频率）逆变器装置和用于驱动车辆的辅助电源装置的电力电子设备的损失。 在此背景下，富士电机开发出一种用于传统线路的VVVF逆变器，其设计紧凑，重量轻，具有低损耗设备。山陽電気鉄道株式会社 5000系リニューアル車向け SiCハイブリッドモジュール搭載の鉄道車両用VVVFインバータ山陽電気鉄道株式会社
2019-03-08 Westpac Electronics 326
-
![富士电机功率半导体年度的技术成果与展望]()
富士电机功率半导体年度的技术成果与展望
年度的技术成果与展望.pdf展望2017 年度的技术成果与展望半导体磁盘媒体电子元件电子元件127（29）富士电机技术期刊 2018 vol.C10 no.3半导体关于功率半导体，由于全球能源需求的扩大以及为了防止全球气候变暖，打造安全、安心的可持续发展社会，电力电子技术因其能够高效利用电能，为节能、创能做贡献，而受到人们越来越多的期待。近年来，不仅是产业设备和家电产品，在汽车、太阳能发电、风力发
2019-03-03 Westpac Electronics 484
-
![富士电机功率半导体环境管理体系]()
富士电机功率半导体环境管理体系
环境管理体系环境管理体系的措施在半导体业务中，以“富士电机环境保护基本方针”为基础，开展经营活动，并努力降低产品的环境负荷。 尤其是针对防止全球气候变暖，为削减来自能源的CO2排放量以及PFC、HFC、SF6的排放量提供制造技术，并提供能够高效利用电能的产品和技术。 因此，为了能够共享问题并迅速进行处理，根据ISO14001环境管理体系认证标准构建了环境管理体系，每位员工都具有较高的意识并积极开展
2019-02-15 Westpac Electronics 326
-
![FUJI富士X系列IGBT技术资料更新]()
FUJI富士X系列IGBT技术资料更新
更新内容如下：高电流输出特性(7MBR50XRKB(D)120-50).pdfX系列IGBT短路容量技术资料 .pdf浪涌电压特性(7MBR50XRKB(D)120-50).pdf更多信息及支持请联系香港威柏WESTPAC技术支持团队：Westpac威柏技术支持总监:王鹏 手机：15989854023 电话：027-8705 4728电子邮件：JerryWang@westpac-hk.com.hk
2019-02-15 Westpac Electronics 231
-
![高功率器件的壽命测试 Lifetime testing of power components]()
高功率器件的壽命测试 Lifetime testing of power components
高功率器件的壽命测试Lifetime testing of powercomponents汽車用 IGBT 測試Automotive IGBT testing高功率器件的壽命测试 Lifetime testing of power components.pdfInsulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) / Power Electronics Applicat
2019-02-08 Westpac Electronics 309
-
![基于电压电流的 IGBT 关断机理与关断时间研究]()
基于电压电流的 IGBT 关断机理与关断时间研究
基于电压电流的 IGBT 关断机理与关断时间研究基于电压电流的 IGBT 关断机理与关断时间研究.pdf绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 是双极型晶体管 (BJT) 和场效应晶体管 (MOSFET) 的复合器件,IGBT 将 BJT 的电导调制效应引入到 VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有 MOSFET 栅极输入阻抗高、开关速度快的特点 [1,2]. IGBT 以其
2019-02-08 Westpac Electronics 365
-
![利用反激、SEPIC和Ćuk组合为IGBT电机驱动产生多个隔离偏置轨]()
利用反激、SEPIC和Ćuk组合为IGBT电机驱动产生多个隔离偏置轨
利用反激、SEPIC和Ćuk组合为IGBT电机驱动产生多个隔离偏置轨利用反激、SEPIC和Ćuk组合为IGBT电机驱动产生多个隔离偏置轨.pdf先进电机驱动应用采用基于三相绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)的逆变器，后者由通常在400 V dc到800 V dc范围内的直流母线电压供电。该高压轨可以从三相整流器电桥滤波器组合或功率因数经校正的升压整流器直接获得，从三相交流输入产生高压轨(参见图1)。
2019-02-08 Westpac Electronics 281
![[现在与未来]功率半导体的现状与展望](../upload/thumb_src/400_400/logo(2).gif?1525533116)
