FUJI富士IGBT模块-第七代X芯片技术的1700V产品批量供货

两单元，适用于中压变频器，高压变频器，SVG,风电变流器等行业应用。

近年来，从全球变暖对策的观点出发，需要减少CO2排放。 能源转换效率的提高和风能，太阳能等可再生能源的使用正在扩大。 随着这种趋势，每个功率转换器的输出电流趋于扩大，并且对作为关键器件的大容量IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的需求正在扩大。 同时，上述装置也需要高度可靠，因为它构成了社会基础设施的一部分。

富士电机开发了第七代“X系列”IGBT模块的1,700 V产品，以满足这种电源转换设备的输出电流扩展，功耗降低和高可靠性的需求。

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2-Pack　1700V级

在X系列1,700 V IGBT模块中，采用X系列芯片技术，与传统产品（V系列）相比，发电损耗显着降低。下一个双XT

（M254）显示使用封装比较模块的电流额定值为450 A，额定电压为1700 V的结果。

图1显示了IGBT的饱和电压和关断能量的权衡特性，图2显示了FWD（自由轮式二极管）的正向电压和反向恢复能量的权衡特性。在这两款X系列IGBT中，与V系列IGBT相比，采用最新的小型化技术和减薄技术可将饱和电压降低约0.4 V，关断能量降低约12％。改善宽度。在X系列FWD中，采用最新的薄晶圆技术，正向电压降低了约0.2 V.此外，寿命控制的优化实现了平滑的反向恢复波形，并将反向恢复能量降低了大约17％。

图3显示了功耗的计算结果。与V系列相比，X系列在载波频率为1 kHz时功耗降低了约13％。

在X系列中，传统产品的连续工作结温Tvjop已从150°C扩展到175°C，以提高输出电流。为了扩展Tvjop，有必要提高ΔTvj功率循环容量，即耐温度变化量和绝缘硅凝胶的耐热性，这会影响高温下的长期可靠性。在X系列中，通过开发新的焊接材料和在半导体芯片上应用新的布线键合技术，在Tvjmax = 175°C和ΔTvj= 50°C的条件下，容量提高约为传统产品的两倍。它实现了。此外，采用新型高耐热性有机硅凝胶可抑制175°C环境下的凝胶固化，确保长期绝缘性能。

此外，为了有效地消散半导体芯片的焦耳热，我们使用具有高导热率的AlN来应用高散热绝缘基板。图4显示了瞬态热阻特性。与使用Al 2 O 3绝缘基板的常规产品相比，对于相同的芯片尺寸，接头和壳体之间的热阻减小了约45％。

图5显示了Dual XT封装中X系列最大额定值600 A模块和V系列最大额定值450 A.

显示了逆变器输出电流和焦耳中IGBT结温的计算结果。 通过采用上述最新的X系列芯片技术和封装技术，与传统产品相比，X系列1,700 V系列产品的输出电流提高了约30％。 该产品可满足电源转换设备的小型化，低功耗和高可靠性的需求。

第7代 X系列

Package		Ic	1700V
			X series
M263		75A	2MBI75XAA170-50
		100A	2MBI100XAA170-50
		150A	2MBI150XAA170-50
		200A
M276		150A	2MBI150XHA170-50
		200A	2MBI200XHA170-50
		300A	2MBI300XHA170-50
		400A	2MBI400XHA170-50

第7代 X系列

※点击产品图像即可查看等效电路图。

Package		Ic	1700V
			X series
M254	Solder pins	225A	2MBI225XNA170-50
		300A	2MBI300XNA170-50
		450A	2MBI450XNA170-50
		600A	2MBI600XNG170-50
M285*2	Solder pins	600A	2MBI600XNE170-50
		800A	2MBI800XRNE170-50

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2012年威柏电子荣获富士电机最佳销售金奖（暨富士最大代理商奖）
WESTPAC ELECTRONICS won gold award from FUJI ELECTRIC(CHINA)
威柏电子荣获富士电机半导体最佳销售金奖（暨富士电机半导体最大代理商奖）

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