FUJI富士IGBT模块-第七代X芯片技术的1700V产品批量供货

2020-09-30 11:56:28 Westpac Electronics 981

FUJI富士IGBT模块-第七代X芯片技术的1700V产品批量供货

两单元,适用于中压变频器,高压变频器,SVG,风电变流器等行业应用。

近年来,从全球变暖对策的观点出发,需要减少CO2排放。 能源转换效率的提高和风能,太阳能等可再生能源的使用正在扩大。 随着这种趋势,每个功率转换器的输出电流趋于扩大,并且对作为关键器件的大容量IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的需求正在扩大。 同时,上述装置也需要高度可靠,因为它构成了社会基础设施的一部分。

富士电机开发了第七代“X系列”IGBT模块的1,700 V产品,以满足这种电源转换设备的输出电流扩展,功耗降低和高可靠性的需求。

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2-Pack 1700V级

在X系列1,700 V IGBT模块中,采用X系列芯片技术,与传统产品(V系列)相比,发电损耗显着降低。下一个双XT

(M254)显示使用封装比较模块的电流额定值为450 A,额定电压为1700 V的结果。

图1显示了IGBT的饱和电压和关断能量的权衡特性,图2显示了FWD(自由轮式二极管)的正向电压和反向恢复能量的权衡特性。在这两款X系列IGBT中,与V系列IGBT相比,采用最新的小型化技术和减薄技术可将饱和电压降低约0.4 V,关断能量降低约12%。改善宽度。在X系列FWD中,采用最新的薄晶圆技术,正向电压降低了约0.2 V.此外,寿命控制的优化实现了平滑的反向恢复波形,并将反向恢复能量降低了大约17%。

图3显示了功耗的计算结果。与V系列相比,X系列在载波频率为1 kHz时功耗降低了约13%。

在X系列中,传统产品的连续工作结温Tvjop已从150°C扩展到175°C,以提高输出电流。为了扩展Tvjop,有必要提高ΔTvj功率循环容量,即耐温度变化量和绝缘硅凝胶的耐热性,这会影响高温下的长期可靠性。在X系列中,通过开发新的焊接材料和在半导体芯片上应用新的布线键合技术,在Tvjmax = 175°C和ΔTvj= 50°C的条件下,容量提高约为传统产品的两倍。它实现了。此外,采用新型高耐热性有机硅凝胶可抑制175°C环境下的凝胶固化,确保长期绝缘性能。

此外,为了有效地消散半导体芯片的焦耳热,我们使用具有高导热率的AlN来应用高散热绝缘基板。图4显示了瞬态热阻特性。与使用Al 2 O 3绝缘基板的常规产品相比,对于相同的芯片尺寸,接头和壳体之间的热阻减小了约45%。

图5显示了Dual XT封装中X系列最大额定值600 A模块和V系列最大额定值450 A.

显示了逆变器输出电流和焦耳中IGBT结温的计算结果。 通过采用上述最新的X系列芯片技术和封装技术,与传统产品相比,X系列1,700 V系列产品的输出电流提高了约30%。 该产品可满足电源转换设备的小型化,低功耗和高可靠性的需求。

第7代 X系列


PackageIc1700V
X series
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M263
 75A2MBI75XAA170-50 FUJI富士IGBT威柏德电子
100A2MBI100XAA170-50 FUJI富士IGBT威柏德电子
150A2MBI150XAA170-50 FUJI富士IGBT威柏德电子
200A
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M276
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150A2MBI150XHA170-50 FUJI富士IGBT威柏德电子
200A2MBI200XHA170-50 FUJI富士IGBT威柏德电子
300A2MBI300XHA170-50 FUJI富士IGBT威柏德电子
400A2MBI400XHA170-50 FUJI富士IGBT威柏德电子




第7代 X系列

※点击产品图像即可查看等效电路图。

PackageIc1700V
X series
FUJI富士IGBT威柏德电子
M254
FUJI富士IGBT威柏德电子
Solder pins
225A2MBI225XNA170-50 FUJI富士IGBT威柏德电子
300A2MBI300XNA170-50 FUJI富士IGBT威柏德电子
450A2MBI450XNA170-50 FUJI富士IGBT威柏德电子
600A2MBI600XNG170-50 FUJI富士IGBT威柏德电子
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M285*2
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Solder pins
600A2MBI600XNE170-50FUJI富士IGBT威柏德电子
800A2MBI800XRNE170-50


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2012年威柏电子荣获富士电机最佳销售金奖(暨富士最大代理商奖)
WESTPAC ELECTRONICS won gold award from FUJI ELECTRIC(CHINA)
威柏电子荣获富士电机半导体最佳销售金奖(暨富士电机半导体最大代理商奖)

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