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FUJI富士7MBR50XRKD120-50 IGBT模块代替英飞凌FP50R12W2T7_B11

富士第七代X系列IGBT芯片技术

为了进一步实现模块的小型化和高效率，除了提高芯片性能， 创新的封装技术（散热性能和可靠性提高）也变得不可欠缺。为了满足市场需求，富士电机开发了新型 芯片技术和封装技术的第 7 代 IGBT 模块「X 系列」。 

 更低的变频器损耗（芯片技术） 第 7 代 X 系列 IGBT 通过极薄的晶圆制造技术和细小的沟槽门极结构，使得它在损耗方面的表现比我们 第 6 代 V 系列 IGBT 有了突飞猛进的进步。 

 连续运行温度 Tvjop=175℃实现了更高电流输出（封装技术） 通过使用新开发的封装技术（高散热绝缘基板/高耐热硅凝胶/高强度焊锡）和模块构造的优化（绑定线 直径/长度），提高了 X 系列在高温工作时的稳定性和耐久性，从而将最大连续可操作结温 Tvjop 从原来的 150℃提高到 175℃。这实现了在保持模块原有尺寸的条件下增加了输出能力。 

 额定电流的提升和 IGBT 模块的小型化 通过以上的性能提升，在保持模块尺寸不变的同时扩大了 X 系列模块的额定电流。 例） 1200V EP2 封装（最大额定电流：第 6 代：50A→ 第 7 代：75A），这意味着 X 系列的技术使得 额定电流扩大了 50%。 从另一个角度来说，最大额定电流的扩大可以让封装尺寸减小，原来 75A/1200V 只能使用更大的 EP3 封装。新一代的 IGBT 可以为电力变换装置小型化以及低成本化作出贡献。

广泛应用于通用变频器，伺服驱动，电机驱动，商用空调等。

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