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IGBT占电动车成本8%至10% 市场规模潜力巨大
DIGITIMES Research观察，随节能减碳意识抬头，短期内业者推行油电混合车(Hybrid Electric Vehicle；HEV)以降低排碳量，但长期而言仍倾向全面导入电动车(Electric Vehicle；EV)，以确保生活环境的洁净。以成本结构来看，半导体占单台电动车超过1,000美元，其中，绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)在车用半导体扮演关键角色。
电动车成本结构中最大者为电池，占比约40~50%，其次为电机驱动系统，约占全车成本15%至20%，其中，IGBT占驱动系统一半左右，即IGBT占电动车约8%至10%成本，成电动车降价第二关键零组件。
IGBT不仅用于电动车内，攸关电动车普及的充电站，站内的高功率充电椿也会采用，因此IGBT的降价不仅有利于电动车普及，也有助于充电椿布建进度加速。
IGBT在制程上亦持续精进，同时，功率模块业者也积极发展集成度更高、散热性更佳的IGBT模块，芯片商也为取得IGBT新制程及技术而发动购并。
估计未来IGBT与电动车的发展关连将日益密切，IGBT市场规模也深具成长潜力，2021年将较2015年成长151%。
延伸阅读：
适用于电动大巴及大功率变频器的2MBI800XNE-120
低损耗 通过减小模块内部IGBT及二极管芯片的厚度实现微细化， 从而优化了模块结构。 由此，与以往的产品（本公司第6代V系列）相比，减少了 变频器动作时的电力损耗。 变频器损耗减少10%、芯片温度降低11℃ （相较于第6代V系列EP3封装75A、f c=8kHz）
提高功率密度
通过兼具高可靠性和高耐 热性的封装及芯片的优化， 实现了在175℃环境下的 连续动作。
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