具有高阈值电压和低导通电阻的SiC-MOSFET由晕圈结构实现

halo 構造により高しきい値電圧と低オン抵抗を実現した SiC-MOSFET.pdf

为了降低功率半导体器件的功率损耗，富士电机开发了使用碳化硅（SiC）作为材料的沟槽栅极MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。 为了进一步减小损耗，缩短MOSFET的沟道长度是有效的，但是必须抑制由于短沟道效应引起的阈值电压和击穿电压的降低。 对具有晕圈结构的垂直沟槽栅极MOSFET进行了仿真和原型设计，证明了抑制短沟道效应，并实现了在保持高阈值电压和击穿电压的同时降低导通电阻。