采用本公司第6代IGBT芯片组的产品系列。采用在硅表面形成立体门极的沟槽栅构造，以及改善元件耐压特性的场终止层结构（FS结构）。通过这些技术，与本公司第5代IGBT（U系列IGBT）相比，第6代实现了硅晶圆的薄型化、低导通电压，降低了开关损耗，提高了开关速度的可控性。

• IGBT产品页次

• 应用手册第1章

• 设计支持

请参考半导体综合目录中的“Part Number”。

• 半导体综合目录1章

应用手册的第2章1中有术语说明，敬请参考。

• 应用手册第2章1

关于额定电压和额定电流，请参考应用手册第3章1的IGBT模块的选定。使用时请确认电压、电流、温度等是否在最大额定值范围内。

• 应用手册第3章1

最大集电极-发射极间电压（VCES）的最大额定值是规格书中明确记载的值，任何情况下都不能超过该值。

最佳门极电阻值（RG）根据所使用的电路以及使用环境的不同而变化。数据表中记载了用于将开关损耗最小化的推荐电阻。请在决定门极电阻值（RG）时，对开关损耗、EMC/EMI、尖峰电压以及无法预料的振动等特性加以研究后，选定不超出数据表所记载内容的值。

• 应用手册第5章

门极电阻值（RG）会对dv/dt、辐射噪声、电压/电流尖峰、开关损耗等带来很大影响，因而请按照实际的设计目标值，综合进行选定。推荐导通电阻值（RG(on)）设置为标准值的2倍以上，关断电阻值（RG(off)）设置为标准值的1～2倍左右。

• 应用手册第5章

尖峰电压是由开关时的较大di/dt，和模块外围的配线电感而产生的（L*di/dt）。例如有如下所示抑制方法。
(1) 安装保护电路
(2) 调整Rg或-VGE，降低di/dt
(3) 加粗、缩短主电路配线、采用铜棒或并联平板配线，降低电感
详情请参考应用手册第5章。

• 应用手册第5章

• V系列1200V VCEP-RG依赖性

• 起因于V系列1200V 缓冲电路的VCEP-RG依赖性

第6代V系列IGBT模块的内置门极电阻值（RG）记载于数据表中，请参考数据表。
第6代数据表中没有记载时以及第6代之前的产品（U系列、S系列）的相关问题，请指定型号进行咨询。

• IGBT产品页次

如果增加门极电阻值（RG），则开关损耗将增大，进而会由于死区时间不足引起桥臂短路。如果降低门极电阻值（RG），则可能发生急剧的尖峰电压。详情请参考应用手册的第2章2.2和第7章1.3。

• 应用手册第2章2.2

• 应用手册第7章1.3