34mm & 62mm 标准封装IGBT模块:FUJI富士替代IFX英飞凌一览表

2019-10-14 20:14:43 Westpac Electronics
文件版本 :
立即下载


34mm & 62mm 标准封装IGBT模块:FUJI富士替代IFX英飞凌一览表

富士第7代IGBT现货查询热线

FUJI富士第7代 X系列IGBT模块现货查询X-IGBT Stock list

富士第7代 X系列IGBT模块 深圳香港第7代 X系列IGBT模块现货查询

FUJI富士第7代 X系列IGBT模块FUJI 第7代 X系列IPM模块现货查询热线:

Shenzhen Westpac Electronics Co.,Ltd
深圳市威柏德电子有限公司

0755-82574602

0755-88262908

常备现货,电话咨询:

158 1855 4045(微信同号)

158 3416 6479

155 0001 5834(微信同号)

135 8920 7451(微信同号)

186 8166 9866(微信同号)

159 0892 9568(微信同号)


图片关键词

灵活性理想的电气性能以及高可靠性。

这些是成功的逆变器设计的关键词。出色的34 mm和 62 mm模块,是您设计的理想选择。
 1200 V/ 1700 V 半桥和单开管展示产品系列。

客户效益:出色的 34 mm和 62 mm模块系列以及其扩展产品系列为客户带来更多的灵活性和高可靠性,以高效的方式诠释了现代化逆变器的概念,适用于各种应用。

2MBI300XBE065-50代替FF300R06KE3_B2
2MBI400XBE065-50代替FF400R07KE4
2MBI300XBE065-50代替FF300R07KE4
2MBI200XBE120-50代替FF200R12KE4P
2MBI300XHA120-50代替FF300R12KE4P
2MBI450XHA120-50代替FF450R12KE4
2MBI600XHA120-50代替FF600R12KE4
2MBI300XHA120-50代替FF300R12KT4P
2MBI450XHA120-50代替FF450R12KE4P
2MBI300XHA120-50代替FF300R12KE4
2MBI200XBE120-50代替FF200R12KT4
2MBI450XHA120-50代替FF450R12KT4
2MBI200XBE120-50代替FF200R12KE4
2MBI300XHA120-50代替FF300R12KT4
2MBI300XHA120-50代替FF300R12KE4_B2
2MBI450XHA120-50代替FF400R12KT4P
2MBI450XHA120-50代替FF450R12KT4P
2MBI300XHA170-50代替FF300R17KE4P
2MBI200XHA170-50 代替FF200R17KE4
2MBI300XHA170-50代替FF300R17KE4
2MBI400XHA170-50代替FF400R17KE4
2MBI150XHA170-50代替FF150R17KE4
2MBI300XBE065-50代替FF300R06KE3
2MBI400XBE065-50代替FF400R06KE3
2MBI200XAA065-50 代替FF200R06KE3
2MBI600VXH-120F-50代替FF600R12KE4_E
2MBI300HJ-120-50代替FF300R12KS4
2MBI200XBE120-50代替FF200R12KT3
2MBI450XHA120-50代替FF400R12KE3
2MBI200HJ-120-50代替FF200R12KS4
2MBI200XBE120-50代替FF200R12KE3
2MBI150XAA120-50代替FF150R12KE3G
2MBI150HJ-120-50代替FF150R12KS4
2MBI450XHA120-50代替FF400R12KT3
2MBI300HJ-120-50代替FF300R12KS4P
2MBI150HJ-120-50代替FF150R12KS4_B2
2MBI150XAA120-50代替FF150R12KT3G
2MBI100HJ-120-50代替FF100R12KS4
2MBI300XHA120-50代替FF300R12KT3
2MBI300XHA120-50代替FF300R12KE3
2MBI450XHA120-50代替FF400R12KE3_B2
2MBI200XHA170-50 代替FF200R17KE3
2MBI300XHA170-50代替FF300R17KE3
2MBI150XAA120-50代替FF150R12RT4
2MBI75VA120-50代替FF75R12RT4
2MBI100XAA120-50 代替FF100R12RT4

更多信息及支持请联系香港威柏WESTPAC技术支持团队:

WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

Westpac威柏技术支持总监:
王鹏 手机:15989854023 电话:027-8705 4728
电子邮件:JerryWang@westpac-hk.com.hk

WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

Westpac威柏上海技术支持,Westpac威柏华东,上海技术支持:
杨雪 手机:15921956358 电话:021-54891461
电子邮件:CindyYang@westpac-hk.com.hk

WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

Westpac威柏北京技术支持,Westpac威柏华北,东北技术支持:
牟军 手机:13589207451 电话:010-5963 0698
电子邮件:TonyMu@westpac-hk.com.hk


WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

Westpac威柏深圳技术支持,Westpac威柏华南技术支持:
吴龙 手机:13590310423 电话:0755-8826 2914
电子邮件:WuLong@westpac-hk.com.hk

WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

Westpac威柏汽车电子深圳技术支持,Westpac威柏汽车电子华南技术支持:
贺杰 手机:13058101192电话:0755-8826 7606
电子邮件:HeJie@westpac-hk.com.hk

WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

Westpac威柏汽车电子武汉技术支持,Westpac威柏汽车电子中部技术支持:
汪进 手机:18971571079 电话:027-87054728
电子邮件:RobinWang@westpac-hk.com.hk

WESTPAC香港威柏电子|深圳市威柏德电子有限公司|FUJI富士IGBT|FUJI富士IPM

Westpac威柏成都技术支持,Westpac威柏西部技术支持:
胡竞超 手机:18990500034 电话:028-85540368
电子邮件:HenryHu@westpac-hk.com.hk

X 系列芯片的主要特征 

1. 更薄的漂移层 - 降低导通压降 - 降低开关损耗

 2. 细小化沟槽门极结构 - 降低导通压降 - 降低开关损耗 

3. 优化场截止层 - 抑制电压振荡 - 降低高温漏电流 

2.1 导通压降和关断损耗之间平衡关系的改善 图 1-3 显示了第 7 代 X 系列和第 6 代 V 系列 IGBT 芯片输出特性的比较。如图所示,在额定电流条件 下,第 7 代 X 系列的导通压降(集电极-发射极电压)VCE(sat)降低了约 0.25V。通过降低导通压降,可以 减小电流流过 IGBT 时产生的导通损耗(电流×导通压降),从而可以进一步提高电力变换装置的效率。

图 1-4 显示了第 7 代 X 系列和第 6 代 V 系列的关断比较波形。通过应用更薄的漂移层及增强正效果, 显著地降低了拖尾电流,使得 X 系列的关断损耗降低了 10%。 图 1-5 显示了 IGBT 导通压降和关断损耗之间的平衡关系。与 V 系列相比,X 系列的导通压降降低了 0.25V。 通过上述改善,尽管第 7 代的 IGBT 芯片尺寸有所减小,但却实现了更低的损耗。

2.2 漏电流的改善 IGBT 在集电极和发射极之间施加反向偏压时的漏电流具有随着温度的升高而增加的特性。由于在这种 高温下的漏电流发生的损耗,使结温进一步上升,并且随着温度的升高,进一步增加了漏电流,在这种 情况下可能会导致热失控损坏。通过优化了场截止层,和第 6 代 V 系列相比,第 7 代 X 系列 IGBT 在高 温下的漏电流降低了 28%,同时也降低了热失控的风险,从而保证了能够连续工作在 175℃的结温。 2.3 FWD 反向恢复特性的改善 第 7 代 X 系列 IGBT 模块,不仅改善了 IGBT 芯片的特性,还改善了并联在 IGBT 上的二极管特性。 (FWD:Free Wheeling Diode) X 系列的 FWD 器件通过减小漂移层的厚度来降低正向电压(VF)。然而,通常在二极管的漂移层变薄 时,反向恢复时耗尽层容易到达底面,从而在反向恢复时会发生电压振荡的问题。在 X 系列的 FWD 器 件中,通过优化芯片底面结构,可以抑制反向恢复运行期间耗尽层的延伸,防止耗尽层到达底面,从而 抑制反向恢复时的电压振荡和浪涌电压。图 1-6 表示了第 7 代 X 系列和第 6 代 V 系列的 FWD 的比较特 性。图 1-6(a)所示,反向恢复峰值电流和拖尾电流都减小了,实现了更加平缓的反向恢复波形。而图 1-6(b)则显示了反向恢复损耗和正向电压之间平衡关系的改善,与第 6 代 V 系列相比,相同的 VF 条件 下第 7 代 X 系列反向恢复损耗降低了约 30%。 一般而言,当模块开关时发生的电磁干扰(EMI: Electro Magnetic Interference)取决于电压斜率 dv/dt。 将反向恢复波形变软的目的是通过降低 dv/dt 来改善 EMI。

X 系列的封装技术特征

第 7 代 X 系列保证连续运行期间的结温 Tvjop=175℃。为了实现这点,提高 IGBT 以及 FWD 芯片的效 率和尺寸是必不可少的。但是另一方面,由于芯片小型化而增加的功率密度导致芯片温度的增加,因此 可能降低器件的可靠性。在第 7 代 IGBT 模块中,通过优化模块结构以及新开发的高耐热和高可靠性封 装解决了这个问题。

  新材料的开发 - 高散热陶瓷绝缘基板  散热性、可靠性提升 - 高耐热硅凝胶

  在 175℃时保证长期的绝缘性 - 高强度焊锡 

 ΔTvj 功率循环耐量的提升  模块结构的优化 - 绑定线直径/长度优化


0755-88267606 00852-2763 5991 021-5489 1460